SiC晶圆材料主要加工工艺
碳化硅(SiC)材料具有尺寸稳定性好、弹性模量大、比刚度大、导热性能好和耐腐蚀等性能，广泛应用于半导体、光学镜面、机械密封等现代工业领域，许多领域往往对其表面加工质量有较高的要求，SiC的表面平坦化质量直接影响制件性能，决定了制件的成品率。随着SiC的应用和发展逐步广泛和深入，其加工精度要求日益增长。但SiC属于典型的脆硬性材料，其平坦化加工时在力的作用下易产生微裂纹，亚表层缺陷多，使得该材料面临加工效率低、加工困难及加工成本居高不下等问题，制约了其大规模应用和推广。
目前SiC材料加工工艺主要有以下几道工序：定向切割、晶片粗磨、精研磨、机械抛光和化学机械抛光（精抛）。其中化学机械抛光作为最终工序，其工艺方法选择、工艺路线排布和工艺参数优化直接影响抛光效率和加工成本。传统化学机械抛光按照磨料存在状态可分为游离磨料抛光和固结磨料抛光。
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