时代电气：奋力迈进SiC自主研发道路，高压电驱平台突破
据慧博资讯公众号介绍：时代电器公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，掌握了具有核心自主知识产权的MOSFET芯片及SBD芯片的设计与制造技术，构建了全套特色先进碳化硅工艺技术的4英寸及6英寸兼容的专业碳化硅芯片制造平台，全电压等级MOSFET及SBD芯片产品可应用于新能源汽车、轨道交通、工业传动等多个领域。2021年，该公司推出碳化硅大功率电驱平台C-Power220；2022年4月，公司实施碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目，总投资4.62亿元，将公司平面栅碳化硅MOSFET芯片技术能力提升至沟槽栅碳化硅MOSFET芯片研发能力，现有4英寸碳化硅芯片线提升至6英寸碳化硅芯片线，产能也将从1万片/年的提升到2.5万片/年。
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